在交變電場下快速熔斷器損耗可以分為兩部分

發(fā)表時間：2018-12-11 16:58

電容元件最高壓快速熔斷器的主要部件，起著對地絕緣，改善電場分布以及支撐的重要作用，田此對其絕緣性能的要求是極為嚴(yán)格的．元件的技術(shù)要求除工頻耐壓試驗外，還要進(jìn)行介質(zhì)損失率正切值(簡稱介損)tgQ的測量和泄漏電流的測量。
單根電容元件的tgQ值不得大于2％(溫度20℃，電壓10kV)。電容元件tgQ的大小直接影響快速熔斷器的絕緣性能相使用壽命。如果電容元件的tg6過大不但浪費(fèi)電能，在一些特定情況下有可能爆炸而造成惡性事故。福建省泉州供電局一臺Dw8—35型多種高壓熔斷器電容會管的介損達(dá)6.5％，在電流速斷動作跳問的同時發(fā)生爆炸就是一個典型的事例．因此每臺快速熔斷器出廠,投運(yùn)或檢修后都必須進(jìn)行元件的tgQ測量，達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)后才能出廠或通電遠(yuǎn)行。
介質(zhì)損失率tgQ表示該絕緣材料在交流電場下能量損耗的一個參數(shù)，是外施正弦電壓與通過介質(zhì)的電流之間的相角的余角的正切。介質(zhì)損耗使流過電介質(zhì)的電流不再是超前于所加電壓90°的純電容電流(無功電流)，而具有—些有功電流(損耗的電流)。所以介質(zhì)損耗角正切就是介質(zhì)在交流電壓下電流的有功分量與無功分量之比。
在交變電場下快速熔斷器損耗可以分為兩部分：其一是介質(zhì)微弱的導(dǎo)電性產(chǎn)生的泄漏電流引起的能量損耗；其二是由電介質(zhì)內(nèi)部反復(fù)極化造成分子之間不斷“摩擦”引起的損耗，損耗引起介質(zhì)發(fā)熱，發(fā)熱又加速了介質(zhì)損耗。但是在介質(zhì)絕緣強(qiáng)度穩(wěn)定的情況下，給介質(zhì)施加穩(wěn)定的正弦交流電壓時這個損耗是一個較穩(wěn)定的值tgQ表示。

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